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AUIRFS3206TRL  与  IPB034N06L3 G  区别

型号 AUIRFS3206TRL IPB034N06L3 G
唯样编号 A-AUIRFS3206TRL A-IPB034N06L3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ@75A,10V 2.7mΩ
上升时间 - 78ns
Qg-栅极电荷 - 79nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 77S
封装/外壳 D2PAK -
连续漏极电流Id 120A(Tc) 90A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 13ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V -
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 167W
典型关闭延迟时间 - 64ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
典型接通延迟时间 - 25ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRFS3206TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥11.583 

阶梯数 价格
5: ¥11.583
100: ¥9.823
384 对比
IPB037N06N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB037N06N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
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